HN11A互感器綜合測(cè)試儀伏安特性測(cè)試儀

功能簡(jiǎn)介：

變頻式互感器特性綜合測(cè)試儀是一種為測(cè)試互感器：PT、CT（保護(hù)類、計(jì)量類）、伏安特性（勵(lì)磁特性）曲線、自動(dòng)給出點(diǎn)值、自動(dòng)給出5%和10%的誤差曲線、變比測(cè)量、比差測(cè)量、相位（角差）測(cè)量、極性判斷、一次通流測(cè)試、交流耐壓測(cè)試、二次負(fù)荷測(cè)試、二次繞組測(cè)試、鐵心退磁等設(shè)計(jì)的多功能現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)儀器。 “"系統(tǒng)(THAAD)是美國(guó)研制的機(jī)動(dòng)式戰(zhàn)區(qū)彈道防御系統(tǒng)，主要是針對(duì)高空進(jìn)行攔截，采用衛(wèi)星、紅外、雷達(dá)三位一體的綜合預(yù)警方式。能與TMNMD系統(tǒng)相連接，而且射程遠(yuǎn)，防護(hù)區(qū)域大。該系統(tǒng)由攔截彈、車載式發(fā)射架、地面雷達(dá)，以及管理與指揮、控制、通信、情報(bào)系統(tǒng)等組成?！?系統(tǒng)(THAAD)有兩套核心組件，其一是攔截彈，長(zhǎng)6.17米，彈徑.37米，起飛重量9公斤，速度可達(dá)25米/秒，由助推器、動(dòng)能攔截器(KKV)及整流罩組成。

技術(shù)參數(shù)：

1、工作電源：AC220V±10% 、50Hz

2、設(shè)備輸出：0～220Vrms， 5Arms（20A峰值）

3、大電流輸出：0～1000A

4、二次繞組電阻測(cè)量范圍：0.1～50Ω

5、二次繞組電阻測(cè)量準(zhǔn)度：≤0.5%、分辨力0.01

6、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量范圍：5～300VA

7、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量準(zhǔn)度：≤0.5%±0.1VA出于職業(yè)敏感，James非常關(guān)注小米電視3的生產(chǎn)，他又從小米的論壇上找了一些資料，告訴小編，小米電視本身系統(tǒng)占2.7GM的存儲(chǔ)空間，在批量生產(chǎn)的程序燒錄環(huán)節(jié)，僅通過6A928的芯片來把系統(tǒng)文件下載進(jìn)去，也就是放入到eMMC5.0芯片里面：加載一臺(tái)電視主機(jī)的時(shí)間需要3-5分鐘，一個(gè)小時(shí)也就完成20臺(tái)，單工位一個(gè)工作日也僅能生產(chǎn)200臺(tái)，這還僅僅是電視主機(jī)的系統(tǒng)更新時(shí)間，還有整機(jī)的裝配、測(cè)試等生產(chǎn)工序。

3、HN12A互感器綜合分析儀（CT/PT分析儀）

功能簡(jiǎn)介：

1 勵(lì)磁特性試驗(yàn)

2 變比試驗(yàn)

3 相位和極性試驗(yàn)

4 CT一次電流及負(fù)荷時(shí)的比差、角差測(cè)量

5 CT二次繞組電阻測(cè)量

6 CT二次回路負(fù)荷測(cè)量

7 CT暫態(tài)特性測(cè)試與分析

8 CT升流試驗(yàn)

9 測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等.

10 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)（ALF）、 儀表保安系數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。

平時(shí)我們都關(guān)注示波器的三大核心指標(biāo)：帶寬、采樣率、存儲(chǔ)深度，但是除了三大技術(shù)指標(biāo)，還有底噪、非線性度、偏置誤差等，上述指標(biāo)決定了能否實(shí)現(xiàn)更的測(cè)量，那究竟這些指標(biāo)的高低由誰(shuí)來決定呢？當(dāng)選用示波器進(jìn)行測(cè)量時(shí)，除了關(guān)注核心指標(biāo)，示波器測(cè)試系統(tǒng)的質(zhì)量也是極為重要的，底噪、非線性度、偏置誤差等決定了是否可以進(jìn)行更好的測(cè)量，而這些指標(biāo)主要由示波器的ADC性能決定，這就要引入一個(gè)概念：等效位數(shù)（ENOB，effectivenumberofbits）。ENOB是什么ENOB（等效位數(shù)）是一個(gè)極為綜合的指標(biāo)，在一定程度上涵蓋了數(shù)字示波器的多種誤差，偏置誤差、增益誤差、非線性度、噪聲等等。在介紹ENOB之前，先介紹下SINAD，即為信號(hào)-噪聲及失真比，SINAD=S/(N+D)，其中S是信號(hào)功率、N是噪聲功率、D是失真功率，也就是說，SINAD與信號(hào)功率呈正比，與噪聲及失真功率呈反比，所以提高SINAD的方法有：降低噪聲、提高信號(hào)的純度（減小信號(hào)的畸變）。技術(shù)參數(shù)：

輸出電壓：0~180V (RMS)
輸出電流：0~12A，峰值36A
電壓測(cè)量：準(zhǔn)確度 ±0.1%
CT變比測(cè)量范圍：1~30000
PT變比測(cè)量范圍：1~30000